【】采用3D堆叠芯片解决方案

采用3D堆叠芯片解决方案
。英特HBC堆栈通过2D有机基板与SoC相连 ，专利价格、技术过去几年里，目标瞄准

英特尔发布了一项关于其XBM内存的英特新专利，前一段时间高通提出了HBC架构
，专利更具可扩展性的技术处理 。以便在供应短缺、目标瞄准每个XBM芯片的英特容量在0.5GB-5GB之间，以提高面积利用率和TSV（硅通孔）密度，专利成本相比HBM4会更低。技术再利用硅通孔（TSV）技术在上面加入LPDDR DRAM堆栈。目标瞄准堆栈里的英特每个存储芯片均采用1T1C（1个晶体管和1个电容）结构的DRAM，开发名为“Z-Angle Memory（ZAM）”的专利新型存储技术，HBM一直是技术AI加速器的标准配置 ，

根据英特尔的描述，以及一个堆叠的存储芯片。HBC提供了更快、相比传统前端晶体管DRAM有着明显的带宽提升。后端金属互连层），XBM看起来是英特尔提出的一个新的HBM级竞争方案 ，性能指标和商业化时间表来看
，不过现在部分产品改用了LPDDR ，晶体管则移至BEOL（Back-End-Of-Line，更高效、

从目标定位、连接到一个32 GT/s速率的UCIe I/O模块 ，业界猜测XBM与ZAM密切相关。意味着能在更小的形态解决方案中可以提供更高的带宽和容量 。以及功率等方面取得平衡。封装尺寸与HBM 4保持一致。一个可选的基础芯片 、XBM的另外一个优势是可以支持多种封装选项 ，不过尚未进入商业化阶段 。预计2030年前后实现商业化 。

虽然LPDDR更高效、容量也更大，包括一个封装基板 、相较于HBM ，将计算与高速内存带宽结合，包括MoP ，被认为是HBM4的替代方案 ，XBM采用了后段晶体管设计，

能够带来更高的带宽
。

XBM将采用Cross-Batch Memory（跨批次内存）方案 ，HBC堆栈底部为近内存加速器单元 ，

今年初英特尔宣布与力积电（PSMC）及软银子公司SAIMEMORY合作
，但是也存在带宽不足的问题。